Tulosta sivu
GD200HFX65C2S
IGBT Module, Half Bridge, 247 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
8 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 72,690 € |
| 5+ | 68,520 € |
| 10+ | 64,070 € |
| 50+ | 61,750 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
72,69 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTARPOWER
Valmistajan osanumeroGD200HFX65C2S
Tilauskoodi3912074
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current247A
Continuous Collector Current247A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Power Dissipation Pd612W
Power Dissipation612W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max650V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
247A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
612W
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
247A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
612W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
650V
IGBT Technology
Trench
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.3