Tulosta sivu
GD1200HFY120C3S
IGBT Module, Half Bridge, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
6 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 393,280 € |
| 5+ | 392,210 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
393,28 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTARPOWER
Valmistajan osanumeroGD1200HFY120C3S
Tilauskoodi3912087
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current2.23kA
DC Collector Current2.23kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation8.196kW
Power Dissipation Pd8.196kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
2.23kA
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation Pd
8.196kW
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
2.23kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation
8.196kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
Trench
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):1.5