Tulosta sivu
2N3866
Bipolar - RF Transistor, NPN, 30 V, 800 MHz, 5 W, 400 mA, TO-39
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Ei valmisteta enää
Tuotetiedot
ValmistajaSOLID STATE
Valmistajan osanumero2N3866
Tilauskoodi2101467
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max30V
Transition Frequency800MHz
Power Dissipation5W
Continuous Collector Current400mA
Transistor Case StyleTO-39
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min10hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
2N3866 is a NPN silicon transitory. It is designed for amplifier, frequency multiplier or oscillator applications in military and industrial equipment. It is suitable for output, driver or pre driver stages in VHF and UHF equipment.
- Collector emitter breakdown voltage is 55VDC min (TA = 25°C, IC = 5mAdc, RBE = 10 ohm)
- Emitter base breakdown voltage is 3.5VDC min (IE = 0.1mADC, IC = 0, TA = 25°C)
- Collector cutoff current is 20µA max (VCE = 28VDC, IB = 0, TA = 25°C)
- DC current gain range from 10 to 200 (IC = 0.05ADC, VDC = 5VDC, TA = 25°C)
- Collector emitter saturation voltage is 1VDC max (IC = 100mADC, IB = 20mADC, TA = 25°C)
- Current gain bandwidth product is 800MHz typ (IC = 50mADC, VCE = 15VDC, f = 200MHz, TA = 25°C)
- Power gain is 10dB min (pin = 0.1W, VCE = 28VDC, F = 400MHz, TA = 25°C)
- Power output is 1W min (pin = 0.1W, VCE = 28VDC, F = 400MHz, TA = 25°C)
- Collector efficiency is 45% min (pin = 0.1W, VCE = 28VDC, F = 400MHz, TA = 25°C)
- Operating temperature range from -65 to 200°C
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
800MHz
Continuous Collector Current
400mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation
5W
Transistor Case Style
TO-39
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:United States
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:United States
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000991