Tulosta sivu
SKM150GB12V
IGBT Module, Half Bridge, 231 A, 1.75 V, 175 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
14 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 149,130 € |
| 5+ | 141,700 € |
| 10+ | 134,380 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
149,13 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSEMIKRON
Valmistajan osanumeroSKM150GB12V
Tilauskoodi2423689
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current231A
Continuous Collector Current231A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyV-IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
Tuotteen yleiskatsaus
The SKM150GB12V is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Copper Bonding) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- V-IGBT = 6th generation Trench V-IGBT (Fuji)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- Lowest switching losses at high di/dt
- UL recognized, file number E63532
Sovellukset
Power Management, Maintenance & Repair
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
231A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
231A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
V-IGBT
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (2)
Liitännäistuotteet
4 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Slovak Republic
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Slovak Republic
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.18
Tuotteen jäljitettävyys