Tulosta sivu
UMG9NTR
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaROHM
Valmistajan osanumeroUMG9NTR
Tilauskoodi1680400
TuotevalikoimaUMG9N Series
Tekninen tuotetietolomake
Pakkausvaihtoehdot
689 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,410 € |
| 10+ | 0,250 € |
| 100+ | 0,165 € |
| 500+ | 0,129 € |
| 1000+ | 0,108 € |
| 5000+ | 0,0821 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 5
Useita: 5
2,05 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaROHM
Valmistajan osanumeroUMG9NTR
Tilauskoodi1680400
TuotevalikoimaUMG9N Series
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Base Emitter Resistor R210kohm
Transistor Case StyleSOT-353
No. of Pins5 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation150mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min30hFE
Product RangeUMG9N Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The UMG9NTR is a dual NPN digital Bipolar Transistor with built-in biasing resistors. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
Sovellukset
Motor Drive & Control, Communications & Networking, Portable Devices, Industrial, Power Management
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
10kohm
Transistor Case Style
SOT-353
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
UMG9N Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
10kohm
No. of Pins
5 Pin
Power Dissipation
150mW
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000035