Tulosta sivu
BM3G007MUV-EVK-002
Evaluation Board, BM3G007MUV-LBE2, GaN HEMT Power Stage, Power Management
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
2 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 365,940 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
365,94 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaROHM
Valmistajan osanumeroBM3G007MUV-EVK-002
Tilauskoodi4240699
Tekninen tuotetietolomake
Silicon ManufacturerRohm Semiconductor
Silicon Core NumberBM3G007MUV-LBE2
Kit Application TypePower Management
Application Sub TypeGaN HEMT Power Stage
Kit ContentsEvaluation Board BM3G007MUV-LBE2
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tuotteen yleiskatsaus
BM3G007MUV-EVK-002 is a power factor correction 240W 400V BM3G007MUV reference board. BM3G007MUV has a built-in GaN HEMT (650V 70mohm), driver and protection circuit. By using this GaN power stage, achieved a maximum efficiency of 97.8%. The BD7695FJ which is BCM method PFC controller IC is used. The BD7695FJ supplies the system which is suitable for all of products that requires PFC.
- Reference board outputs 400V voltage from the input of 90VAC to 264VAC
- Output current supplies up to 0.6A
- Output voltage range from 376 to 415V
- Input frequency range from 47Hz to 63Hz
- THD is 8.4% typical
- Max output ripple voltage is 20Vpp
- BCM is used for PFC part and Zero current detection reduces both switching loss and noise
- Hold time is 20ms (min) at VOUT min 280V
- 0.97 power factor (PF) at AC230V, IOUT = 0.6A
- Operating temperature range from -10 to +55°C
Tekniset tiedot
Silicon Manufacturer
Rohm Semiconductor
Kit Application Type
Power Management
Kit Contents
Evaluation Board BM3G007MUV-LBE2
SVHC
To Be Advised
Silicon Core Number
BM3G007MUV-LBE2
Application Sub Type
GaN HEMT Power Stage
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001