Tulosta sivu
BM3G005MUV-LBE2
GaN HEMT Power Stage, VQFN046V8080, 6.83 V To 30 V, 1 Channel, 1 Output, TO252-J
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
100 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 13,530 € |
| 10+ | 10,690 € |
| 25+ | 9,980 € |
| 50+ | 9,590 € |
| 100+ | 9,200 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
13,53 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaROHM
Valmistajan osanumeroBM3G005MUV-LBE2
Tilauskoodi4633476
Tekninen tuotetietolomake
IC FunctionGaN HEMT Power Stage
Supply Voltage Min6.83V
Supply Voltage Max30V
IC Package TypeVQFN046V8080
No. of Pins46Pins
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Tekniset tiedot
IC Function
GaN HEMT Power Stage
Supply Voltage Max
30V
No. of Pins
46Pins
Operating Temperature Max
105°C
Automotive Qualification Standard
-
Supply Voltage Min
6.83V
IC Package Type
VQFN046V8080
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00001
Tuotteen jäljitettävyys