Tulosta sivu
RMLV0408EGSA-4S2#KA1
SRAM, Asynchronous SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8bit, STSOP, 32 Pins, 2.7 V
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaRENESAS
Valmistajan osanumeroRMLV0408EGSA-4S2#KA1
Tilauskoodi4146924RL
Tekninen tuotetietolomake
22 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 10+ | 10,940 € |
| 25+ | 9,060 € |
| 50+ | 8,130 € |
| 100+ | 7,500 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 10
Useita: 1
114,40 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaRENESAS
Valmistajan osanumeroRMLV0408EGSA-4S2#KA1
Tilauskoodi4146924RL
Tekninen tuotetietolomake
SRAM TypeAsynchronous SRAM, LPSRAM
Memory Size4Mbit
Memory Density4Mbit
SRAM Memory Configuration512Kword x 8bit
Supply Voltage Range2.7V to 3.6V
Memory Configuration512Kword x 8bit
IC Case / PackageSTSOP
Memory Case StyleSTSOP
No. of Pins32Pins
Supply Voltage Min2.7V
Access Time45ns
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
Clock Frequency Max-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
RMLV0408E series 4Mb advanced LPSRAM (512-kword × 8bit). It is a family of 4-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 8bit, fabricated by Renesas’s high-performance Advanced LPSRAM technologies. This has realized higher density, higher performance, and low power consumption. It offers low power standby power dissipation, therefore, it is suitable for battery backup systems.
- Maximum access time is 45ns, typical current consumption standby is 0.3µA
- Equal access and cycle times, common data input and output three state output
- Directly TTL compatible all inputs and outputs, battery backup operation
- Supply voltage range from 2.7 to 3.6V, input high voltage is 2.2V (min)
- Input leakage current is 1µA (max, Vin = VSS to VCC)
- Operating current is 10mA (max, CS# =VIL, others = VIH/VIL, II/O = 0mA)
- Standby current is 0.3mA (max, CS2 = VIL, others = VSS to VCC)
- Input capacitance is 8pF (max, Vin =0V, Vcc = 2.7 to 3.6V, f = 1MHz, Ta = -40 to +85°C)
- Read cycle time is 45ns (minimum)
- 32-pin plastic TSOP package, temperature range from -40 to +85°C
Tekniset tiedot
SRAM Type
Asynchronous SRAM, LPSRAM
Memory Density
4Mbit
Supply Voltage Range
2.7V to 3.6V
IC Case / Package
STSOP
No. of Pins
32Pins
Access Time
45ns
Supply Voltage Nom
3V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Memory Size
4Mbit
SRAM Memory Configuration
512Kword x 8bit
Memory Configuration
512Kword x 8bit
Memory Case Style
STSOP
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Max
3.6V
Clock Frequency Max
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Taiwan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Taiwan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001