Tulosta sivu
HFA1100IBZ
Operational Amplifier, Single, 1 Channels, 850 MHz, 2300 V/µs, ± 4.5V to ± 5.5V, SOIC, 8 Pins
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Ei valmisteta enää
Tuotetiedot
ValmistajaRENESAS
Valmistajan osanumeroHFA1100IBZ
Tilauskoodi1561932
Tekninen tuotetietolomake
No. of Channels1Channels
Gain Bandwidth Product850MHz
Slew Rate Typ2300V/µs
Supply Voltage Range± 4.5V to ± 5.5V
IC Case / PackageSOIC
No. of Pins8Pins
Amplifier TypeLow Distortion
Rail to Rail-
Input Offset Voltage2mV
Input Bias Current25µA
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Jul-2017)
Amplifier Case StyleSOIC
Automotive Qualification Standard-
Bandwidth850MHz
No. of Amplifiers1 Amplifier
Slew Rate2300V/µs
Tekniset tiedot
No. of Channels
1Channels
Slew Rate Typ
2300V/µs
IC Case / Package
SOIC
Amplifier Type
Low Distortion
Input Offset Voltage
2mV
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Jul-2017)
Automotive Qualification Standard
-
No. of Amplifiers
1 Amplifier
Gain Bandwidth Product
850MHz
Supply Voltage Range
± 4.5V to ± 5.5V
No. of Pins
8Pins
Rail to Rail
-
Input Bias Current
25µA
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Amplifier Case Style
SOIC
Bandwidth
850MHz
Slew Rate
2300V/µs
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
SVHC:No SVHC (07-Jul-2017)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.01