Tulosta sivu
QRD1113
Reflective Photo Interrupter, Phototransistor, Through Hole, 1.27 mm, 50 mA, 5 Vr, 1.7 Vf
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
102 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,070 € |
| 10+ | 0,911 € |
| 25+ | 0,898 € |
| 50+ | 0,884 € |
| 100+ | 0,871 € |
| 500+ | 0,810 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
1,07 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroQRD1113
Tilauskoodi1467857
Tekninen tuotetietolomake
Sensing MethodReflective
Sensing Distance / Slot Width-
Supply Voltage Min-
Sensing Distance1.27mm
Forward Current If50mA
Supply Voltage Max-
Reverse Voltage Vr5V
Sensor Case / PackageModule
Collector Emitter Voltage Max30V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Forward Voltage1.7V
Collector Current IC Max0.3mA
Sensor Output TypePhototransistor
IP Rating-
Sensor MountingThrough Hole
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The QRD1113 is a 1.27mm Reflective Object Sensor with an infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor mounted side by side in a black plastic housing. The on-axis radiation of the emitter and the on-axis response of the detector are both perpendicular to the face. The phototransistor responds to radiation emitted from the diode only when a reflective object or surface is in the field of view of the detector.
- No-contact surface sensing
- Unfocused for sensing diffused surfaces
- Daylight filter on sensor
- -40 to 85°C Operating temperature range
Sovellukset
Sensing & Instrumentation
Tekniset tiedot
Sensing Method
Reflective
Supply Voltage Min
-
Forward Current If
50mA
Reverse Voltage Vr
5V
Collector Emitter Voltage Max
30V
Forward Voltage
1.7V
Sensor Output Type
Phototransistor
Sensor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
Sensing Distance / Slot Width
-
Sensing Distance
1.27mm
Supply Voltage Max
-
Sensor Case / Package
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Collector Current IC Max
0.3mA
IP Rating
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000431
Tuotteen jäljitettävyys