Tulosta sivu
QEB373ZR
Infrared Emitter, 875 nm, 12 °, T-3/4 (1.8mm), 16 mW/Sr, 800 ns, 800 ns
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Saatavilla tilauksesta
Valmistajan vakiomääräinen toimitusaika: 22 viikko(a)
| Määrä | |
|---|---|
| 1000+ | 0,226 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Full Reel)
Vähintään: 1000
Useita: 1000
226,00 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroQEB373ZR
Tilauskoodi3617613
Tekninen tuotetietolomake
Peak Wavelength875nm
Angle of Half Intensity12°
Diode Case StyleT-3/4 (1.8mm)
Radiant Intensity (Ie)16mW/Sr
Rise Time800ns
Fall Time tf800ns
Forward Current If(AV)50mA
Forward Voltage VF Max1.7V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max100°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
Tekniset tiedot
Peak Wavelength
875nm
Diode Case Style
T-3/4 (1.8mm)
Rise Time
800ns
Forward Current If(AV)
50mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
MSL 2 - 1 year
Angle of Half Intensity
12°
Radiant Intensity (Ie)
16mW/Sr
Fall Time tf
800ns
Forward Voltage VF Max
1.7V
Operating Temperature Max
100°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85414090
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.1
Tuotteen jäljitettävyys