Tulosta sivu
NXH80T120L3Q0S3G
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNXH80T120L3Q0S3G
Tilauskoodi3929816
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
1 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 63,920 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
63,92 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNXH80T120L3Q0S3G
Tilauskoodi3929816
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current75A
DC Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation188W
Power Dissipation Pd188W
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder Pin
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation Pd
188W
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Solder Pin
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation
188W
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.09
Tuotteen jäljitettävyys