Tulosta sivu
NXH350N100H4Q2F2P1G
IGBT Module, Si/SiC Hybrid Module, EliteSiC, Four Pack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNXH350N100H4Q2F2P1G
Tilauskoodi3929806
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
Saatavilla tilauksesta
Valmistajan vakiomääräinen toimitusaika: 14 viikko(a)
Ilmoittakaa minulle, kun tuotetta on taas varastossa
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 147,170 € |
| 5+ | 145,990 € |
| 10+ | 144,810 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
147,17 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNXH350N100H4Q2F2P1G
Tilauskoodi3929806
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationFour Pack
DC Collector Current303A
Continuous Collector Current303A
Collector Emitter Saturation Voltage1.63V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.63V
Power Dissipation Pd592W
Power Dissipation592W
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1kV
Collector Emitter Voltage Max1kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Four Pack
Continuous Collector Current
303A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.63V
Power Dissipation
592W
Junction Temperature Tj Max
175°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
DC Collector Current
303A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.63V
Power Dissipation Pd
592W
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1kV
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.09
Tuotteen jäljitettävyys