Tulosta sivu
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNXH100B120H3Q0PG
Tilauskoodi3929800
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
13 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
Määrä | |
---|---|
1+ | 49,590 € |
5+ | 47,510 € |
10+ | 45,420 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
49,59 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNXH100B120H3Q0PG
Tilauskoodi3929800
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationDual
DC Collector Current61A
Continuous Collector Current61A
Collector Emitter Saturation Voltage1.77V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.77V
Power Dissipation Pd186W
Power Dissipation186W
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Dual
Continuous Collector Current
61A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.77V
Power Dissipation
186W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
DC Collector Current
61A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.77V
Power Dissipation Pd
186W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.09