Tulosta sivu
NVHL040N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNVHL040N120SC1
Tilauskoodi3464026
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
495 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 14,620 € |
| 5+ | 14,610 € |
| 10+ | 14,600 € |
| 50+ | 14,540 € |
| 100+ | 14,250 € |
| 250+ | 13,980 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
14,62 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNVHL040N120SC1
Tilauskoodi3464026
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.056ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
- Silicon carbide (SiC) MOSFET
- 100% UIL tested, AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source on resistance is 39mohm (typ, VGS = 20V, ID = 35A, TJ = 25°C
- Reverse transfer capacitance is 12pF (typ, VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain current RJC is 60A (maximum, TC = 25°C, steady state)
- Gate to source leakage current is ±1µA (max, VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Power dissipation is 348W (VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Rise time is 41ns (typ, VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 47A, RG = 4.7ohm, inductive load)
- Reverse recovery time is 24ns (typ, VGS = -5/20V, ISD = 47A, dIS/dt = 1000A/ s)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +175°C, TO247-3L package
Tekniset tiedot
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.056ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
348W
Product Range
EliteSiC Series
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.002
Tuotteen jäljitettävyys