Tulosta sivu
NTF5P03T3G
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 5.2 A, 0.1 ohm, SOT-223, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Saatavilla tilauksesta
Valmistajan vakiomääräinen toimitusaika: 19 viikko(a)
Ilmoittakaa minulle, kun tuotetta on taas varastossa
| Määrä | |
|---|---|
| 4000+ | 0,331 € |
| 12000+ | 0,324 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Full Reel)
Vähintään: 1
Useita: 1
--
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNTF5P03T3G
Tilauskoodi2442205
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.75V
Power Dissipation3.13W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The NTF5P03T3G is a P-channel Power MOSFET offers -30V drain source voltage and -5.2A continuous drain current. It is suitable for DC-to-DC converters, inductive loads and replaces MMFT5P03HD.
- Ultra-low RDS (ON)
- Higher efficiency extending battery life
- Logic level gate drive
- Miniature surface-mount package
- Avalanche energy specified
- -55 to 150°C Operating temperature range
Sovellukset
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Tekniset tiedot
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.13W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.75V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tekniset asiakirjat (3)
Vaihtoehdot osanumerolle NTF5P03T3G
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.001
Tuotteen jäljitettävyys