Tulosta sivu
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
3 000 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
Määrä | |
---|---|
3000+ | 0,0878 € |
9000+ | 0,0735 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Full Reel)
Vähintään: 1
Useita: 1
--
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroMMBFJ175LT1G
Tilauskoodi2442048
Tekninen tuotetietolomake
Gate Source Breakdown Voltage Max30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max60mA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min7mA
Gate Source Cutoff Voltage Max6V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Transistor TypeJFET
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset tiedot
Gate Source Breakdown Voltage Max
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
7mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Zero Gate Voltage Drain Current Max
60mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
6V
No. of Pins
3 Pin
Transistor Type
JFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle MMBFJ175LT1G
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.001
Tuotteen jäljitettävyys