Tulosta sivu
J111-D26Z
JFET Transistor, JFET, -35 V, -10 V, TO-226AA, 3 Pin, 150 °C
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Saatavilla tilauksesta
Valmistajan vakiomääräinen toimitusaika: 21 viikko(a)
Ilmoittakaa minulle, kun tuotetta on taas varastossa
| Määrä | |
|---|---|
| 2000+ | 0,105 € |
| 6000+ | 0,0943 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Full Reel)
Vähintään: 2000
Useita: 2000
210,00 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroJ111-D26Z
Tilauskoodi4319690
Tekninen tuotetietolomake
Gate Source Breakdown Voltage Max-35V
Zero Gate Voltage Drain Current Max-
Gate Source Cutoff Voltage Max-10V
Transistor Case StyleTO-226AA
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset tiedot
Gate Source Breakdown Voltage Max
-35V
Gate Source Cutoff Voltage Max
-10V
No. of Pins
3 Pin
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Zero Gate Voltage Drain Current Max
-
Transistor Case Style
TO-226AA
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Through Hole
Qualification
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000529
Tuotteen jäljitettävyys