Tarvitsetko enemmän?
Määrä | |
---|---|
3000+ | 0,0426 € |
9000+ | 0,0388 € |
Tuotetiedot
Tuotteen yleiskatsaus
The BSS138 is a 50V N-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density, DMOS technology. This device has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- Rugged and reliable
- ±20V gate source voltage (VGSS)
- 350°C/W thermal resistance, junction to ambient
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
N Channel
220mA
SOT-23
10V
360mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
50V
3.5ohm
Surface Mount
1.3V
3Pins
-
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (3)
Vaihtoehdot osanumerolle BSS138
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
RoHS
RoHS
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus