Tulosta sivu
SMBT35200MT1G
Bipolar Transistor Array, PNP, 35 V, 2 A
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Ei valmisteta enää
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroSMBT35200MT1G
Tilauskoodi3617514
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP35V
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP2A
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP1W
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP100hFE
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP100MHz
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
35V
Continuous Collector Current PNP
2A
Power Dissipation PNP
1W
DC Current Gain hFE Min PNP
100hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current NPN
-
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
Transistor Case Style
TSOP
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.1