Tulosta sivu
NXV08V110DB1
MOSFET Transistor, 80 V, 1700 µohm, 10 V, 4 V
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNXV08V110DB1
Tilauskoodi3617528
Osanumerosi
Tekninen tuotetietolomake
Saatavilla tilauksesta
Valmistajan vakiomääräinen toimitusaika: 12 viikko(a)
| Määrä | |
|---|---|
| 44+ | 19,860 € |
Hinta tuotteelle:Tube of 1
Vähintään: 44
Useita: 44
873,84 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNXV08V110DB1
Tilauskoodi3617528
Tekninen tuotetietolomake
Channel Type-
Continuous Drain Current Id-
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source On State Resistance1700µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tekniset tiedot
Channel Type
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
-
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.1
Tuotteen jäljitettävyys