Tulosta sivu
NXH40T120L3Q1SG
IGBT Module, PIM Half Bridge Inverter, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNXH40T120L3Q1SG
Tilauskoodi3265492
TuotevalikoimaNXH40T120L3Q1
Tekninen tuotetietolomake
17 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 55,020 € |
| 5+ | 49,520 € |
| 10+ | 48,530 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
55,02 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNXH40T120L3Q1SG
Tilauskoodi3265492
TuotevalikoimaNXH40T120L3Q1
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationPIM Half Bridge Inverter
DC Collector Current42A
Continuous Collector Current42A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation146W
Power Dissipation Pd146W
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product RangeNXH40T120L3Q1
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tuotteen yleiskatsaus
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
PIM Half Bridge Inverter
Continuous Collector Current
42A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
146W
Junction Temperature Tj Max
175°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
DC Collector Current
42A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
146W
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
NXH40T120L3Q1
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0001
Tuotteen jäljitettävyys