Tulosta sivu
NXH35C120L2C2S1G
IGBT Module, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 35 A, 2.4 V, 20 mW, 150 °C, DIP
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Ei valmisteta enää
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNXH35C120L2C2S1G
Tilauskoodi3617519
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationThree Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
Continuous Collector Current35A
Collector Emitter Saturation Voltage2.4V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleDIP
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
Collector Emitter Saturation Voltage
2.4V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
-
Product Range
-
Continuous Collector Current
35A
Power Dissipation
20mW
Transistor Case Style
DIP
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.1
Tuotteen jäljitettävyys