Tulosta sivu
NVMFD5C680NLT1G
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
1 252 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,905 € |
| 500+ | 0,723 € |
| 1000+ | 0,721 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
95,50 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNVMFD5C680NLT1G
Tilauskoodi2835612RL
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel26A
Continuous Drain Current Id P Channel26A
Drain Source On State Resistance N Channel0.023ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Transistor Case StyleDFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel19W
Power Dissipation P Channel19W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Tuotteen yleiskatsaus
NVMFD5C680NLT1G is a dual N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Negative threshold temperature coefficient is -4.3mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Drain-to-source on resistance is 23mohm typical at (VGS = 10V, ID = 5A)
- Input capacitance is 350pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Gate-to-drain charge is 0.8nC typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V; ID = 10A)
- Turn-on delay time is 6.4ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V, ID = 10A, RG = 1ohm)
- Rise time is 25ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V, ID = 10A, RG = 1ohm)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN8 package
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
26A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
19W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
26A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.023ohm
Transistor Case Style
DFN
Power Dissipation N Channel
19W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000012
Tuotteen jäljitettävyys