Tulosta sivu
NVHL080N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNVHL080N120SC1
Tilauskoodi3018978
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
2 064 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 11,590 € |
| 5+ | 10,270 € |
| 10+ | 8,940 € |
| 50+ | 8,490 € |
| 100+ | 7,980 € |
| 250+ | 7,460 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
11,59 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNVHL080N120SC1
Tilauskoodi3018978
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
NVHL080N120SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are automotive on board charger, automotive DC-DC converter for EV/HEV.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 100% UIL tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 80pF)
- Drain-to-source voltage is 1200V at TJ = 25°C
- Continuous drain current RJC is 31A at TC = 25°C
- Power dissipation RJC is 89W at TC = 100°C
- Single pulse surge drain current capability is 132A at TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4.7ohm
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- TO247-3L package
Tekniset tiedot
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
44A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
348W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (2)
Liitännäistuotteet
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0007
Tuotteen jäljitettävyys