Tulosta sivu
NVBG020N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNVBG020N120SC1
Tilauskoodi3265484
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
717 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 45,040 € |
| 5+ | 40,540 € |
| 10+ | 31,440 € |
| 50+ | 31,360 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
45,04 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNVBG020N120SC1
Tilauskoodi3265484
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation468W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
NVBG020N120SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are automotive on board charger, automotive DC-DC converter for EV/HEV.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 100% avalanche tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 258pF)
- Drain-to-source voltage is 1200V at TJ = 25°C
- Continuous drain current is 98A at TC = 25°C
- Power dissipation is 3.7W at TC = 25°C
- Single pulse surge drain current capability is 807A at TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4.7ohm
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- D2PAK-7L package
Tekniset tiedot
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
98A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
468W
Product Range
EliteSiC Series
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000024
Tuotteen jäljitettävyys