Tulosta sivu
NTPF082N65S3F
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 40 A, 0.082 ohm, TO-220, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNTPF082N65S3F
Tilauskoodi2895636
TuotevalikoimaSUPERFET III FRFET
Tekninen tuotetietolomake
1 331 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 4,350 € |
| 5+ | 3,920 € |
| 10+ | 3,490 € |
| 50+ | 3,460 € |
| 100+ | 3,420 € |
| 250+ | 3,350 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
4,35 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNTPF082N65S3F
Tilauskoodi2895636
TuotevalikoimaSUPERFET III FRFET
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.082ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation48W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III FRFET
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.082ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SUPERFET III FRFET
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle NTPF082N65S3F
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0001
Tuotteen jäljitettävyys