Tulosta sivu
NTH4L080N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNTH4L080N120SC1
Tilauskoodi3464005
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
310 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 10,950 € |
| 5+ | 10,170 € |
| 10+ | 9,390 € |
| 50+ | 8,870 € |
| 100+ | 8,340 € |
| 250+ | 7,820 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
10,95 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNTH4L080N120SC1
Tilauskoodi3464005
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.75V
Power Dissipation170W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tekniset tiedot
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
29A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.75V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
170W
Product Range
EliteSiC Series
Tekniset asiakirjat (2)
Liitännäistuotteet
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.002
Tuotteen jäljitettävyys