Tulosta sivu
NTBG020N090SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNTBG020N090SC1
Tilauskoodi3367849RL
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
746 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 10+ | 19,880 € |
| 50+ | 19,250 € |
| 100+ | 16,900 € |
| 250+ | 16,850 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 10
Useita: 1
203,80 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNTBG020N090SC1
Tilauskoodi3367849RL
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id112A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation477W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
NTBG020N090SC1 is an EliteSiC silicon carbide (SiC) MOSFET that uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Applications include DC-DC converter, boost inverter, UPS.
- Low RDSon, ultra low gate charge (Qg tot), low output capacitance (Coss)
- 100% UIL tested
- Drain to source breakdown voltage is 900V min at VGS = 0V, ID = 1mA, TJ = 25°C
- Zero gate voltage drain current is 100µA max at VGS = 0V, TJ = 25°C
- Gate threshold voltage is 2.6V typ at VGS = VDS, ID = 20mA, TJ = 25°C
- Drain to source on resistance is 20mohm typ at VGS = 15V, ID = 60A, TJ = 25°C
- Total gate charge is 200nC typ at VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, TJ = 25°C
- 52ns rise time/13ns fall time at VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, RG = 2.5ohm, inductive load
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- D2PAK-7L package
Tekniset tiedot
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
112A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
477W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (2)
Liitännäistuotteet
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0004
Tuotteen jäljitettävyys