Tulosta sivu
NTB082N65S3F
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNTB082N65S3F
Tilauskoodi2895635
TuotevalikoimaSUPERFET III FRFET
Tekninen tuotetietolomake
2 070 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 7,180 € |
| 5+ | 6,350 € |
| 10+ | 5,510 € |
| 50+ | 5,070 € |
| 100+ | 4,330 € |
| 250+ | 4,240 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
7,18 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNTB082N65S3F
Tilauskoodi2895635
TuotevalikoimaSUPERFET III FRFET
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation313W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III FRFET
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
313W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SUPERFET III FRFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle NTB082N65S3F
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0001
Tuotteen jäljitettävyys