Tulosta sivu
NTA4001NT1G
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 238 mA, 3 ohm, SOT-416, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
2 815 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,266 € |
| 50+ | 0,178 € |
| 100+ | 0,104 € |
| 500+ | 0,0674 € |
| 1500+ | 0,0532 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 5
Useita: 5
1,33 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNTA4001NT1G
Tilauskoodi2533175
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id238mA
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleSOT-416
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Tuotteen yleiskatsaus
NTA4001NT1G is a single, N-channel, gate ESD protection, small signal, MOSFET. The applications include power management load switch, level shift, and portable applications such as cell phones, media players, digital cameras, PDAs, video games, handheld computers, etc.
- Low gate charge for fast switching
- Small 1.6 x 1.6 mm footprint, ESD protected gate
- Drain-to-source breakdown voltage is 20V min (VGS = 0V, ID = 100A, TJ = 25°C)
- Gate threshold voltage range from 0.5 to 1.5V (VDS = 3V, ID = 100µA, TJ = 25°C)
- Pulsed drain current is 714mA (tP <lt/>10µs, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 80mS typ (VDS = 3V, ID = 10mA, TJ = 25°C)
- Reverse transfer capacitance is 3.5pF typ (VDS = 5V, f = 1MHz, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Forward diode voltage is 0.66V typ (VGS = 0V, IS = 10mA, TJ = 25°C)
- SC-75 package
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
238mA
Transistor Case Style
SOT-416
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (1)
Vaihtoehdot osanumerolle NTA4001NT1G
1 tuote löytyi
Liitännäistuotteet
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000072
Tuotteen jäljitettävyys