Tulosta sivu
NDT2955
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
21 725 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,877 € |
| 50+ | 0,600 € |
| 250+ | 0,416 € |
| 1000+ | 0,296 € |
| 2000+ | 0,272 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 5
Useita: 5
4,38 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNDT2955
Tilauskoodi9846271
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The NDT2955 is a surface mount, 60V P channel enhancement mode field effect transistors in SOT-223 package. Transistor is produced using high voltage trench process and suitable for power management applications.
- High density cell design for extremely low Rds(ON)
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -2.5A
- Power dissipation (pd) of 3W
- Low on state resistance of 163mohm at Vgs -4.5V
- Operating temperature range -55°C to 150°C
Tekniset tiedot
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Liitännäistuotteet
5 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Philippines
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Philippines
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000199
Tuotteen jäljitettävyys