Tulosta sivu
MMUN2131LT1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
7 016 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 500+ | 0,0342 € |
| 1000+ | 0,0246 € |
| 5000+ | 0,0201 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 500
Useita: 5
22,10 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroMMUN2131LT1G
Tilauskoodi2727988RL
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolaritySingle PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R12.2kohm
Base Emitter Resistor R22.2kohm
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation400mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min8hFE
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
Single PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Base Input Resistor R1
2.2kohm
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
2.2kohm
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
400mW
DC Current Gain hFE Min
8hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle MMUN2131LT1G
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000002
Tuotteen jäljitettävyys