Tulosta sivu
MMBFJ309LT1G
JFET Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
34 977 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,496 € |
| 50+ | 0,241 € |
| 100+ | 0,174 € |
| 500+ | 0,149 € |
| 1500+ | 0,131 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 5
Useita: 5
2,48 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroMMBFJ309LT1G
Tilauskoodi1431339
Tekninen tuotetietolomake
Gate Source Breakdown Voltage Max-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Max30mA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min12mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-4V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Transistor TypeJFET
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The MMBFJ309LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.
- 25VDC Drain-source voltage
- 25VDC Gate-source voltage
- 10mA Gate current
Sovellukset
Industrial, Power Management
Tekniset tiedot
Gate Source Breakdown Voltage Max
-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
12mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Zero Gate Voltage Drain Current Max
30mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-4V
No. of Pins
3 Pin
Transistor Type
JFET
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle MMBFJ309LT1G
1 tuote löytyi
Liitännäistuotteet
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.001058
Tuotteen jäljitettävyys