Tulosta sivu
MMBFJ201
JFET Transistor, JFET, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
12 000 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 3000+ | 0,095 € |
| 9000+ | 0,0921 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Full Reel)
Vähintään: 3000
Useita: 3000
285,00 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroMMBFJ201
Tilauskoodi2323150
Tekninen tuotetietolomake
Gate Source Breakdown Voltage Max-40V
Zero Gate Voltage Drain Current Max1mA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min200µA
Gate Source Cutoff Voltage Max-1.5V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Transistor TypeJFET
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The MMBFJ201 is a 40V N-channel Junction (JFET) Field Effect Transistor designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. This product is general usage and suitable for many different applications.
- 40V Drain gate voltage (VDG)
- 50mA Forward gate current
- 357°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Sovellukset
Audio, Power Management
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Gate Source Breakdown Voltage Max
-40V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
200µA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Zero Gate Voltage Drain Current Max
1mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-1.5V
No. of Pins
3 Pin
Transistor Type
JFET
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000034
Tuotteen jäljitettävyys