Tulosta sivu
KSE13003H2ASTU
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 1.5 A, 20 W, TO-225AA, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Ei valmisteta enää
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroKSE13003H2ASTU
Tilauskoodi2453965
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current1.5A
Power Dissipation20W
Transistor Case StyleTO-225AA
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency4MHz
DC Current Gain hFE Min14hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Tuotteen yleiskatsaus
- NPN silicon transistor in TO-126 package
- High speed switching
- High voltage switch mode
- Suitable for switching regulator and motor control
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1.5A
Transistor Case Style
TO-225AA
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
14hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
20W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.001669