Tulosta sivu
H11G1M
Optocoupler, Transistor Output, 1 Channel, DIP, 6 Pins, 60 mA, 7.5 kV, 500 %
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
3 015 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 0,978 € |
| 10+ | 0,495 € |
| 25+ | 0,472 € |
| 50+ | 0,450 € |
| 100+ | 0,427 € |
| 500+ | 0,372 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
0,98 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotteen yleiskatsaus
The H11G1M is a 6-pin high voltage photodarlington-type optically Coupled Optocoupler consists of gallium-arsenide infrared emitting diode coupled with a silicon Darlington connected phototransistor which has an integral base-emitter resistor to optimize elevated temperature characteristics. It is suitable for CMOS logic interface, telephone ring detector, low input TTL interface and replace pulse transformer.
- 100μA at 80°C Maximum low leakage current
- 850V Maximum working insulation voltage
- 6000V High allowable overvoltage
Sovellukset
Communications & Networking, Power Management, Signal Processing
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
No. of Channels
1 Channel
No. of Pins
6Pins
Isolation Voltage
7.5kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Optocoupler Case Style
DIP
Forward Current If Max
60mA
CTR Min
500%
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Thailand
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Thailand
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000855
Tuotteen jäljitettävyys