Tulosta sivu
FQP27P06
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
17 468 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 2,710 € |
| 10+ | 2,280 € |
| 100+ | 1,240 € |
| 500+ | 1,000 € |
| 1000+ | 0,862 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
2,71 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroFQP27P06
Tilauskoodi9846530
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The FQP27P06 is a through hole, -60V P channel QFET MOSFET in TO-220 package. This device feature planar stripe and DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supply, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
- Low reverse transfer capacitance of typically 120pF
- Low gate charge is typically 33nC
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±25V
- Continuous drain current (Id) of -27A
- Power dissipation (Pd) of 120W
- Low on state resistance of 55mohm at Vgs -10V
- Operating temperature range -55°C to 175°C
Tekniset tiedot
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
27A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
120W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.032659
Tuotteen jäljitettävyys