Tulosta sivu
FGY40T120SMD
IGBT, 80 A, 1.8 V, 882 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Saatavilla tilauksesta
Valmistajan vakiomääräinen toimitusaika: 18 viikko(a)
Ilmoittakaa minulle, kun tuotetta on taas varastossa
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 12,840 € |
| 5+ | 10,320 € |
| 10+ | 7,790 € |
| 50+ | 7,420 € |
| 100+ | 7,050 € |
| 250+ | 6,680 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
12,84 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroFGY40T120SMD
Tilauskoodi3368691
Tekninen tuotetietolomake
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation882W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tekniset tiedot
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
882W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.002
Tuotteen jäljitettävyys