Tulosta sivu
FGD3325G2-F085
IGBT, 41 A, 1.25 V, 150 W, 250 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Ei valmisteta enää
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroFGD3325G2-F085
Tilauskoodi3615761
Tekninen tuotetietolomake
Continuous Collector Current41A
Collector Emitter Saturation Voltage1.25V
Power Dissipation150W
Collector Emitter Voltage Max250V
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tuotteen yleiskatsaus
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Continuous Collector Current
41A
Power Dissipation
150W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.25V
Collector Emitter Voltage Max
250V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Philippines
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Philippines
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.1
Tuotteen jäljitettävyys