Tulosta sivu
FFSP1265A
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Single, 650 V, 12 A, 40 nC, TO-220
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroFFSP1265A
Tilauskoodi2835588
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
499 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 2,930 € |
| 10+ | 2,810 € |
| 100+ | 1,910 € |
| 500+ | 1,710 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
2,93 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroFFSP1265A
Tilauskoodi2835588
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current12A
Total Capacitive Charge40nC
Diode Case StyleTO-220
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Tekniset tiedot
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
40nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
12A
Diode Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.001
Tuotteen jäljitettävyys