Tulosta sivu
FDP33N25
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
2 160 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,960 € |
| 10+ | 0,996 € |
| 100+ | 0,977 € |
| 500+ | 0,949 € |
| 1000+ | 0,920 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
1,96 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroFDP33N25
Tilauskoodi1324798
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source On State Resistance0.094ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation235W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The FDP33N25 is an UniFET™ N-channel high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 36.8nC typical low gate charge
- 39pF typical low Crss
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
235W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.094ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.002
Tuotteen jäljitettävyys