Tulosta sivu
FDP038AN06A0-F102
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 3500 µohm, TO-220, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroFDP038AN06A0-F102
Tilauskoodi3616128
TuotevalikoimaPower Trench
Tekninen tuotetietolomake
Ei valmisteta enää
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroFDP038AN06A0-F102
Tilauskoodi3616128
TuotevalikoimaPower Trench
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation310W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePower Trench
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
310W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Power Trench
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.1
Tuotteen jäljitettävyys