Tulosta sivu
FDN337N
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
18 000 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 3000+ | 0,174 € |
| 9000+ | 0,148 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Full Reel)
Vähintään: 3000
Useita: 3000
522,00 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroFDN337N
Tilauskoodi2323185
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Tuotteen yleiskatsaus
The FDN337N is N channel logic level enhancement mode power field effect transistor in superSOT-3 package. This transistor is produced using high cell density, DMOS technology, very high density process is especially tailored to minimize on state resistance, thus suite for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards and other battery powered circuits where fast switching and low inline power loss are needed in a very small outline surface mount package.
- High density cell design for extremely low Rds(on)
- Exceptional on resistance and maximum DC current capability
- Drain to source voltage (Vds) of 30V
- Gate to source voltage of ±8V
- Low on state resistance of 65mohm at Vgs 4.5V
- Continuous drain current of 2.2A
- Maximum power dissipation of 500mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Liitännäistuotteet
4 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Philippines
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Philippines
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000036
Tuotteen jäljitettävyys