Tulosta sivu
FDMS3660S
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0013 ohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
8 572 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,520 € |
| 10+ | 1,180 € |
| 100+ | 0,838 € |
| 500+ | 0,771 € |
| 1000+ | 0,764 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
1,52 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroFDMS3660S
Tilauskoodi2322592
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0013ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0013ohm
Transistor Case StylePower 56
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel2.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The FDMS3660S is a dual N-channel Asymmetric MOSFET suitable for use with computing, general purpose point of load and notebook VCORE applications. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
- Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
- MOSFET integration enables optimum layout (lower circuit inductance & reduced switch node ringing)
Sovellukset
Industrial, Communications & Networking, Power Management
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0013ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.5W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0013ohm
Transistor Case Style
Power 56
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Philippines
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Philippines
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000113
Tuotteen jäljitettävyys