Tulosta sivu
BC857CDW1T1G
Bipolar Transistor Array, PNP, 45 V, 100 mA
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
5 435 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 500+ | 0,0477 € |
| 1500+ | 0,0391 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 500
Useita: 5
28,85 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroBC857CDW1T1G
Tilauskoodi2464067RL
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max45V
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Continuous Collector Current100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP45V
Continuous Collector Current NPN-
Power Dissipation380mW
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP250mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min270hFE
DC Current Gain hFE Min PNP420hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP100MHz
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The BC857CDW1T1G is a dual PNP general purpose Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Sovellukset
Industrial, Power Management, Automotive
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Collector Emitter Voltage Max PNP
45V
Power Dissipation
380mW
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
DC Current Gain hFE Min PNP
420hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
45V
Continuous Collector Current
100mA
Continuous Collector Current NPN
-
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
250mW
DC Current Gain hFE Min
270hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.001
Tuotteen jäljitettävyys