Tulosta sivu
2N7000BU
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
347 Varastossa
10 000 Voit varata tuotteen varastosta nyt
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,329 € |
| 10+ | 0,200 € |
| 100+ | 0,111 € |
| 500+ | 0,110 € |
| 1000+ | 0,0969 € |
| 5000+ | 0,0881 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 5
Useita: 5
1,64 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumero2N7000BU
Tilauskoodi2453761
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.9V
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Tuotteen yleiskatsaus
The 2N7000BU is an advanced small-signal N-channel enhancement-mode MOSFET produced using high cell density DMOS technology. It minimizes ON-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. It is particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Fast switching times
- Improved inductive ruggedness
- Lower input capacitance
- Extended safe operating area
- Improved high-temperature reliability
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle 2N7000BU
4 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000205
Tuotteen jäljitettävyys