Tulosta sivu
PMBFJ310
JFET Transistor, JFET, -25 V, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Tuotetiedot
ValmistajaNXP
Valmistajan osanumeroPMBFJ310
Tilauskoodi1081474RL
Tekninen tuotetietolomake
Gate Source Breakdown Voltage Max-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Max60mA
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Vaihtoehdot osanumerolle PMBFJ310
1 tuote löytyi
Tuotteen yleiskatsaus
The PMBFJ310 is a N-channel Silicon Field-Effect Transistor encapsulated in a surface-mount plastic package. It is designed for use with AM input stage in car radios, VHF amplifiers, oscillators and mixers applications.
- Low noise
- Interchangeability of drain and source connections
- High gain
Sovellukset
Industrial, Power Management
Tekniset tiedot
Gate Source Breakdown Voltage Max
-25V
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Zero Gate Voltage Drain Current Max
60mA
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (1)
Liitännäistuotteet
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Niger
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Niger
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000033