Tulosta sivu
MRFX1K80NR5
RF FET Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
38 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 190,040 € |
| 5+ | 180,750 € |
| 10+ | 171,460 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
190,04 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaNXP
Valmistajan osanumeroMRFX1K80NR5
Tilauskoodi2985306
Tekninen tuotetietolomake
Drain Source Voltage Vds179V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation3.333kW
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max400MHz
Transistor Case StyleOM-1230
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
MRFX1K80NR5 is a wideband RF Power LDMOS transistor in a 4 pin OM-1230 package. This high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial, medical, broadcast, aerospace and mobile radio applications. Their unmatched input and output design supports frequency use from 1.8 to 400MHz.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 65VDD operation
- Characterized from 30 to 65V for extended power range
- Lower thermal resistance package
- High breakdown voltage for enhanced reliability
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage for improved Class C operation
Tekniset tiedot
Drain Source Voltage Vds
179V
Power Dissipation
3.333kW
Operating Frequency Max
400MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
OM-1230
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.009072