Tulosta sivu
MRFE6VP6300HR5
RF FET Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
49 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 145,510 € |
| 5+ | 134,970 € |
| 10+ | 124,420 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
145,51 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaNXP
Valmistajan osanumeroMRFE6VP6300HR5
Tilauskoodi2776250
Tekninen tuotetietolomake
Drain Source Voltage Vds130VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation1.05kW
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max600MHz
Transistor Case StyleNI-780
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
MRFE6VP6300HR5 is a RF power field effect transistor. A high ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFETs. This device is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analogue and digital), aerospace and radio/land mobile applications. This has unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz.
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection
- Greater negative gate--source voltage range for improved class C operation
- Characterized with series equivalent large--signal impedance parameters
Tekniset tiedot
Drain Source Voltage Vds
130VDC
Power Dissipation
1.05kW
Operating Frequency Max
600MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
NI-780
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
-
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.008165
Tuotteen jäljitettävyys